參數資料
型號: BF861AT/R
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數: 13/13頁
文件大?。?/td> 73K
代理商: BF861AT/R
9397 750 13395
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 24 September 2004
9 of 13
Philips Semiconductors
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
VDS =8V.
VGS =0V.
Tamb = 25 °C.
Fig 18. Common-source output admittance; typical values.
mbd477
10
1
102
gos, bos
(mS)
101
f (MHz)
10
103
102
gos
bos
相關PDF資料
PDF描述
BF861C-T 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
BF988B UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-50
BFCN-7500+ 7500 MHz, CERAMIC BPF
BFCN-ED13661/10 8350 MHz, BAND PASS FILTER
BFCN-EDR9964/12 6515 MHz, BAND PASS FILTER
相關代理商/技術參數
參數描述
BF861B 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
BF861B,215 功能描述:射頻JFET晶體管 JFET N-CH 25V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF861B,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BF861 Series 25 V 6.5 mA 250 mW N-channel Junction FET - SOT-23
BF861B,235 功能描述:射頻JFET晶體管 N-Channel Single ’+/- 25V 15mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF861B215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF JFET N CH 25V 15MA 3-SO 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:JET N CH 25V SOT-23