參數(shù)資料
型號(hào)： BF722
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： BF722
1
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis 2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
01.11.2003
11
High Voltage Transistors
BF 820, BF 822
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
1
)
V
CE
= 20 V, I
C
= 25 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
h
FE
50
–
–
V
CE
= 20 V, I
C
= 25 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
f
T
50 MHz
–
–
V
CB
= 30 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance – Wrmewiderstand
junction to ambient air – Sperrschicht zu umgebender Luft
junction to soldering point – Sperrschicht zu Ltpad
C
CB0
–
–
1.6 pF
R
thA
R
thS
87 K/W
2
)
27 K/W
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementre PNP-Transistoren
BF 721, BF 723
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF840 NPN medium frequency transistor
BF961 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF961A N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF961B N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF966S N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF722,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF722115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 250V 0.05A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BJT HIGH VOLT NPN 250V 100
BF-7222-10E 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:JAM NUT - Bulk
BF722T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-223
BF722TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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