參數(shù)資料
型號(hào)： BF579R
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon PNP Planar RF Transistor
中文描述： 進(jìn)步黨射頻硅平面晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： BF579R
BF579/BF579R
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
3 (5)
Document Number 85001
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
96 12159
P
t
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
400
800
1200
1600
2000
0
4
–I
C
– Collector Current ( mA )
8
12
16
20
12865
f
T
–V
CB
=10V
f=300MHz
Figure 2. Transition Frequency vs. Collector Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
–V
CB
– Collector Base Voltage ( V )
12866
C
c
Figure 3. Collector Base Capacitance vs.
Collector Base Voltage
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參數(shù)描述
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