參數(shù)資料
型號： BF569
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon PNP Planar RF Transistor
中文描述： 進步黨射頻硅平面晶體管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 67K
代理商： BF569
BF569/BF569R
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
3 (5)
Document Number 85000
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
96 12159
P
t
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
200
400
600
800
1000
1200
0
3
–I
C
– Collector Current ( mA )
6
9
12
15
12847
f
T
–V
CB
=10V
f=300MHz
Figure 2. Transition Frequency vs. Collector Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
–V
CB
– Collector Base Voltage ( V )
12875
C
c
Figure 3. Collector Base Capacitance vs.
Collector Base Voltage
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