參數(shù)資料
型號: BF494
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN medium frequency transistors
中文描述: 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 48K
代理商: BF494
1997 Jul 08
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium frequency transistors
BF494; BF495
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
30
20
5
30
30
300
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
420
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
E
= 0; V
CB
= 20 V; T
amb
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V
100
4
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BF494
BF494B
BF495
BF495B
base-emitter voltage
feedback capacitance
transition frequency
67
100
35
100
650
120
220
220
125
125
740
1
V
BE
C
re
f
T
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
mV
pF
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF494A TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92
BF494 NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BF494B NPN medium frequency transistors
BF495 ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84%
BF495 NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF494/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR
BF494_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF494_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF494_J35Z 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF-IF AMPLIFIER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BF494_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2