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參數(shù)資料
| 型號： | BF487-T/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | BF487-T/R |
2004 Dec 08
3
Philips Semiconductors
Product specication
NPN high-voltage transistors
BF483; BF485; BF487
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
BF483
300
V
BF485
350
V
BF487
400
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
BF483
250
V
BF485
300
V
BF487
350
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
5V
IC
collector current (DC)
100
mA
ICM
peak collector current
200
mA
IBM
peak base current
100
mA
Ptot
total power dissipation
830
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
ambient temperature
65
+150
°C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB = 300 V; IE =0 A
20
nA
VCB = 250 V; IE = 0 A; Tj = 150 °C
20
A
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB =5V; IC =0 A
100
nA
hFE
DC current gain
VCE =20V
IC =25mA
50
IC =40mA
20
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 30 mA; IB =5mA
600
mV
Cre
feedback capacitance
VCE =30V; IC =ic = 0 A; f = 1 MHz
1.4
pF
fT
transition frequency
VCE =10V; IC = 10 mA; f = 100 MHz 70
110
MHz
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