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參數資料
| 型號： | BF423-T/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | BF423-T/R |
2004 Nov 10
3
Philips Semiconductors
Product specication
PNP high voltage transistors
BF421; BF423
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1. Transistor mounted on a printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Transistor mounted on a printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
300
V
BF423
250
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
BF421
300
V
BF423
250
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
5V
IC
collector current (DC)
50
mA
ICM
peak collector current
100
mA
IBM
peak base current
50
mA
Ptot
total power dissipation
830
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
ambient temperature
65
+150
°C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB = 200 V; IE =0 A
10
nA
VCB = 200 V; IE = 0 A; Tj = 150 °C
10
A
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB = 5 V; IC =0 A
50
nA
hFE
DC current gain
VCE = 20 V; IC = 25 mA
50
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 30 mA; IB = 5mA
0.6
V
Cre
feedback capacitance
VCE = 30 V; IC =ic = 0 A; f = 1 MHz
1.6
pF
fT
transition frequency
VCE = 10 V; IC = 10 mA; f = 100 MHz
60
MHz
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