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參數(shù)資料
| 型號： | BF422 |
| 英文描述： | SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | BF422 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF422 | NPN high-voltage transistors |
| BF422 | NPN Silicon Transistor (High voltage application Monitor equipment application) |
| BF423 | PNP SILICON TRANSISTOR |
| BF423 | PNP high-voltage transistors |
| BF423L | 0.5A/1A USB Port/Adapter Lithium-Ion/Polymer Battery Charger |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF422 RF | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:TO 92;TRANSISTOR 625MW |
| BF422 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF422,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF422_05 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| BF422_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Transistors |
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