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參數(shù)資料
| 型號： | BF421L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 300V五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | BF421L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF420 | NPN high-voltage transistors |
| BF420＼BF422 | High voltage transistors |
| BF420L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| BF420S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-92VAR |
| BF420ZL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF421S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-92VAR |
| BF421ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF421ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF422 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF422 RF | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:TO 92;TRANSISTOR 625MW |
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