參數(shù)資料
型號(hào)： BF420
廠(chǎng)商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors (NPN)(小信號(hào)晶體管（NPN）)
中文描述： 小信號(hào)晶體管（NPN）的（小信號(hào)晶體管（NPN）的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： BF420
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-Base Breakdown Voltage
at I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
BF420
BF422
V
(BR)CBO
V
(BR)CBO
300
250
–
–
–
–
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
at I
C
= 10
m
A, I
E
= 0
BF422
V
(BR)CEO
250
–
–
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
at R
BE
= 2.7 k
, I
C
= 10 mA
BF420
V
(BR)CER
300
–
–
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
at I
E
= 100
μ
A, I
B
= 0
V
(BR)EBO
5
–
–
V
Collector-Base Cutoff Current
at V
CB
= 200 V, I
E
= 0
I
CBO
–
–
10
nA
Collector-Emitter Cutoff Current
at R
BE
= 2.7 k
, V
CE
= 250 V
at R
BE
= 2.7 k
, V
CE
= 200 V, T
j
= 150 °C
I
CER
I
CER
50
10
nA
μ
A
Collector Saturation Voltage
at I
C
= 30 mA, I
B
= 5 mA
V
CEsat
–
–
0.6
V
DC Current Gain
at V
CE
= 20 V, I
C
= 25 mA
h
FE
50
–
–
–
Gain-Bandwidth Product
at V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
f
T
60
–
–
MHz
Feedback Capacitance
at V
CE
= 30 V, I
C
= 0, f = 1 MHz
C
re
–
–
1.6
pF
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
R
thJA
–
–
150
1)
K/W
1)
Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
BF420, BF422
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF422 Small Signal Transistors (NPN)(小信號(hào)晶體管（NPN）)
BF421 Small Signal Transistors (PNP)(小信號(hào)晶體管（PNP）)
BF423 Small Signal Transistors (PNP)(小信號(hào)晶體管（PNP）)
BF569R Silicon PNP Planar RF Transistor
BF569 Silicon PNP Planar RF Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF420 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF420,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF420,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF420/D 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:High Voltage Transistor NPN
BF420＼BF422 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:High voltage transistors
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