參數(shù)資料
型號： BDX54B
廠商： 永盛國際集團
英文描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
中文描述： 進步黨外延硅晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： BDX54B
Characterristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Collector Emitter Sustaining Voltage :BDX5
4
:BDX5
4
A
:BDX5
4
B
:BDX5
4
C
Collector Cutoff Current :BDX5
4
:BDX5
4
A
:BDX5
4
B
:BDX5
4
C
Collector Cutoff Current :BDX5
4
:BDX5
4
A
:BDX5
4
B
:BDX5
4
C
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
Base- Emitter Saturation Voltage
Parallel Diode Forward Voltage
V
CEO(SUS)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
f
I
C
=-100mA, I
B
=0
V
CB
= -45V , I
E
=0
V
CB
= -60V , I
E
=0
V
CB
= -80V , I
E
=0
V
CB
= -100V , I
E
=0
V
CE
= -22V , I
C
=0
V
CE
= -30V , I
C
=0
V
CE
= -40V , I
C
=0
V
CE
= -50V , I
C
=0
V
EB
= -5V , I
C
=
0
V
CE
= -3V , I
C
=3A
I
C
=-3A , I
B
=-12mA
I
C
=-3A , I
B
=-12mA
I
f
=-3A
I
f
=-8A
-45
-60
-80
-100
750
-1.8
-2.5
-200
-200
-200
-200
-500
-500
-500
-500
-2
-2
-2.5
-2.5
V
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
mA
V
V
V
V
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDX54C PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BDX63 NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX63A NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX63B NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX63C NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDX54B 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDX54BFI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB
BDX54BG 功能描述:達林頓晶體管 8A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX54B-S 功能描述:達林頓晶體管 80V 8A PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX54BTU 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington 8A 80V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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