參數(shù)資料
型號: BDX53BFI
廠商: 意法半導體
英文描述: Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
中文描述: 互補硅功率達林頓晶體管(互補硅功率達林頓晶體管)
文件頁數(shù): 2/4頁
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代理商: BDX53BFI
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
4.17
70
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
F
Parallel-diode Forward
Voltage
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
V
CB
= 80 V
0.2
mA
I
CEO
V
CB
= 40 V
0.5
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
2
mA
I
C
= 100 mA
80
V
I
C
= 3 A
I
B
=12 mA
2
V
I
C
= 3 A
I
B
=12 mA
2.5
V
I
C
= 3 A
V
CE
= 3 V
750
I
F
= 3 A
I
F
= 8 A
1.8
2.5
2.5
V
V
Safe OperatingArea
BDX53BFP / BDX54BFP
2/4
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PDF描述
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參數(shù)描述
BDX53BFP 功能描述:達林頓晶體管 Silicon Pwr Trnsistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53BG 功能描述:達林頓晶體管 8A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53B-S 功能描述:達林頓晶體管 80V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53BTU 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53C 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel