參數(shù)資料
型號： BDX53B
廠商： 永盛國際集團
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
中文描述： npn型外延硅晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： BDX53B
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
2.08
70
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
F
Parallel-diode
Voltage
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
for
BDX53B/54B
for
BDX53C/54C
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50V
0.2
0.2
mA
mA
I
CEO
for
BDX53B/54B
for
BDX53C/54C
0.5
0.5
mA
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
2
mA
I
C
= 100 mA
for
BDX53B/54B
for
BDX53C/54C
80
100
V
V
I
C
= 3 A
I
B
=12 mA
2
V
I
C
= 3 A
I
B
=12 mA
2.5
V
I
C
= 3 A
I
F
= 3 A
I
F
= 8 A
V
CE
= 3 V
750
Forward
1.8
2.5
2.5
V
V
SafeOperating Area
Derating Curve
BDX53B - BDX53C - BDX54B- BDX54C
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDX53F COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BDX54BFI Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BDX53BFI Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BDX88C Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率達林頓晶體管)
BDX87C Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率達林頓晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDX53B 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDX53B_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
BDX53B_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors
BDX53BFI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB
BDX53BFP 功能描述:達林頓晶體管 Silicon Pwr Trnsistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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