參數(shù)資料
型號(hào)： BDX53B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： BDX53B
DC CurrentGain (NPN type)
Collector Emitter Saturation Voltage(NPN type)
BaseEmitter SaturationVoltage(NPN type)
DC CurrentGain (PNP type)
Collector Emitter Saturation Voltage(PNP type)
BaseEmitter SaturationVoltage(PNP type)
BDX53B - BDX53C - BDX54B - BDX54C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDX53C COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BDX53C NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BDX53B NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BDX53F COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BDX54BFI Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDX53B 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDX53B_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
BDX53B_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors
BDX53BFI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB
BDX53BFP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Silicon Pwr Trnsistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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