參數(shù)資料
型號： BDX53A
廠商： 永盛國際集團(tuán)
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
中文描述： npn型外延硅晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 21K
代理商： BDX53A
Characterristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Collector Emitter Sustaining Voltage :BDX53
:BDX53A
:BDX53B
:BDX53C
Collector Cutoff Current :BDX53
:BDX53A
:BDX53B
:BDX53C
Collector Cutoff Current :BDX53
:BDX53A
:BDX53B
:BDX53C
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
Base- Emitter Saturation Voltage
Parallel Diode Forward Voltage
V
CEO(SUS)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
f
I
C
=100mA, I
B
=0
V
CB
= 45V , I
E
=0
V
CB
= 60V , I
E
=0
V
CB
= 80V , I
E
=0
V
CB
= 100V , I
E
=0
V
CE
= 22V , I
C
=0
V
CE
= 30V , I
C
=0
V
CE
= 40V , I
C
=0
V
CE
= 50V , I
C
=0
V
EB
= 5V , I
C
=
0
V
CE
= 3V ,
I
C
=3A
I
C
=3A , I
B
=12mA
I
C
=3A , I
B
=12mA
I
f
=3A
I
f
=8A
45
60
80
100
750
1.8
2.5
200
200
200
200
500
500
500
500
2
2
2.5
2.5
V
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
mA
V
V
V
V
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDX54A PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BDX54B PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BDX54C PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BDX63 NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX63A NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BDX53ATU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53B 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53B 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDX53B_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
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