參數(shù)資料
型號(hào): BDX53A
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率達(dá)林頓晶體管)
中文描述: Complemetary硅功率達(dá)林頓晶體管(功率達(dá)林頓晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大小: 94K
代理商: BDX53A
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.9
0.025
0.035
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
9.35
10.1
0.368
0.397
L2
0.8
0.031
L4
0.6
1
0.023
0.039
=
=
D
L2
L4
1
3
=
=
B
E
=
=
B
G
2
A
C
C
H
A
DETAIL ”A”
A
DETAIL ”A”
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
0068772-B
BDX53A/53B/53C-BDX54B/54C
5/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDX77 Medium Power Switching and Amplifier Applications
BD201 Medium Power Switching and Amplifier Applications
BD203 Medium Power Switching and Amplifier Applications
BD201 EPITAXIAL BASE SILICON NPN AND PNP VERSAWATT TRANSISTORS
BD203 EPITAXIAL BASE SILICON NPN AND PNP VERSAWATT TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDX53A-S 功能描述:達(dá)林頓晶體管 60V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53ATU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53B 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53B 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDX53B_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors