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參數(shù)資料
| 型號： | BDX33 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(10A,70W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（10A條，70W功率） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | BDX33 |
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDX33A | POWER TRANSISTORS(10A,70W) |
| BDX34B | Transistor de puissance PNP darlington |
| BDX34C | Transistor de puissance PNP darlington |
| BDX34D | EMITTER IR 850NM T1 3/4 |
| BDX33B | NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BDX33_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| BDX33A | 功能描述:達林頓晶體管 70W 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX33A-S | 功能描述:達林頓晶體管 60V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX33B | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX33B/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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