參數(shù)資料
型號(hào)： BDW93CFI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管（互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： BDW93CFI
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
3.1
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
mA
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= 100 V
V
CB
= 100 V
T
case
= 150
o
C
100
5
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= 80 V
1
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
2
mA
I
C
= 100 mA
100
V
I
C
= 5 A
I
C
= 10 A
I
B
= 20 mA
I
B
= 100 mA
2
3
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 5 A
I
C
= 10 A
I
B
= 20 mA
I
B
= 100 mA
2.5
4
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 3 A
I
C
= 5 A
I
C
= 10 A
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
1000
750
100
20000
V
F
*
Parallel-diode Forward
Voltage
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
1.3
1.8
2
4
V
V
h
fe
Small Signal Current
Gain
I
C
= 1 A
f = 1 MHz
V
CE
= 10 V
20
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
Safe OperatingArea
BDW93CFI / BDW94CFI
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDW94CFI Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
BDW94CFP Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
BDX53A Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率達(dá)林頓晶體管)
BDX77 Medium Power Switching and Amplifier Applications
BD201 Medium Power Switching and Amplifier Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDW93CFP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDW93CFP_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BDW93CFTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDW93C-S 功能描述:達(dá)林頓晶體管 100V 12A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDW93CTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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