| 型號(hào): | BDV64A |
| 廠商: | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述: | POWER TRANSISTORS(12A,125W) |
| 中文描述: | 功率晶體管(12A條,125瓦) |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商: | BDV64A |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDV64B | POWER TRANSISTORS(12A,125W) |
| BDV65 | POWER TRANSISTORS(12A,125W) |
| BDV65A | POWER TRANSISTORS(12A,125W) |
| BDV65B | POWER TRANSISTORS(12A,125W) |
| BDV64 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BDV64A | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON SOT-93 |
| BDV64A-S | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 80V 12A PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDV64ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BDV64B | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDV64BG | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |