| 型號(hào): | BDT61C |
| 廠(chǎng)商: | Power Innovations International, Inc. |
| 英文描述: | NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
| 中文描述: | NPN硅功率DARLINGTONS |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/6頁(yè) |
| 文件大小: | 109K |
| 代理商: | BDT61C |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDV64 | POWER TRANSISTORS(12A,125W) |
| BDV64 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
| BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
| BDV64B | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
| BDV64C | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BDT61C-S | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 120V 4A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDT61-S | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 60V 4A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDT62 | 制造商:ISC 制造商全稱(chēng):Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Darlington Power Transistors |
| BDT62A | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR TO-220 |
| BDT62A | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |