參數(shù)資料
型號(hào)： BD88415GUL-E2
廠商： Rohm Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC HEADPHONE AMP 2-CH 14CSP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： AB 類
輸出類型： 耳機(jī)，2-通道（立體聲）
在某負(fù)載時(shí)最大輸出功率 x 通道數(shù)量： 80mW x 2 @ 16 歐姆
電源電壓： 2.4 V ~ 5.5 V
特點(diǎn)： 短路和熱保護(hù)，關(guān)閉
安裝類型： 表面貼裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝： VCSP50L2
封裝/外殼： 14-UFBGA，WLCSP
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： BD88415GUL-E2DKR
74AHC_AHCT1G14_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 18 May 2009
6 of 15
NXP Semiconductors
74AHC1G14; 74AHCT1G14
Inverting Schmitt trigger
12. Dynamic characteristics
[1]
tpd is the same as tPLH and tPHL.
[2]
Typical values are measured at VCC = 3.3 V.
[3]
Typical values are measured at VCC = 5.0 V.
[4]
CPD is used to determine the dynamic power dissipation PD (W).
PD =CPD × VCC2 × fi + ∑(CL × VCC2 × fo) where:
fi = input frequency in MHz;
fo = output frequency in MHz;
CL = output load capacitance in pF;
VCC = supply voltage in Volts.
Table 9.
Dynamic characteristics
GND = 0 V; tr = tf ≤ 3.0 ns. For waveform see Figure 5. For test circuit see Figure 6.
Symbol Parameter
Conditions
25
°C
40 °C to +85 °C 40 °C to +125 °C Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
For type 74AHC1G14
tpd
propagation
delay
A to Y;
VCC = 3.0 V to 3.6 V
CL = 15 pF
-
4.2
12.8
1.0
15.0
1.0
16.5
ns
CL = 50 pF
-
6.0
16.3
1.0
18.5
1.0
20.5
ns
VCC = 4.5 V to 5.5 V
CL = 15 pF
-
3.2
8.6
1.0
10.0
1.0
11.0
ns
CL = 50 pF
-
4.6
10.6
1.0
12.0
1.0
13.5
ns
CPD
power
dissipation
capacitance
per buffer;
CL =50pF;f=1 MHz;
VI = GND to VCC
-12-
-
pF
For type 74AHCT1G14
tpd
propagation
delay
A to Y;
VCC = 4.5 V to 5.5 V
CL = 15 pF
-
4.1
7.0
1.0
8.0
1.0
9.0
ns
CL = 50 pF
-
5.9
8.5
1.0
10.0
1.0
11.0
ns
CPD
power
dissipation
capacitance
per buffer;
VI = GND to VCC
-13-
-
pF
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