參數(shù)資料
型號： BD708
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： BD708
DIM.
mm
TYP.
inch
TYP.
MIN.
4.40
1.23
2.40
MAX.
4.60
1.32
2.72
MIN.
0.173
0.048
0.094
MAX.
0.181
0.051
0.107
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
1.27
0.050
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
16.4
0.645
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
P011C
TO-220 MECHANICAL DATA
BD707/708/709/711/712
5/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD709 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD711 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD712 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD905FI Power Linear and Switching Applications(硅平面外延工藝NPN功率晶體管)
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參數(shù)描述
BD709 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD70GA3MEFJ-ME2 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC REG LDO 7.0V 0.3A 8HTSOP
BD70GA3WEFJ-E2 功能描述:低壓差控制器 - LDO LDO Reg Pos 7.0V 0.3A RoHS:否 制造商:Micrel 最大輸入電壓:5.5 V 輸出電壓:Adjustable 輸出電流:10 mA 負(fù)載調(diào)節(jié): 輸出類型:Adjustable, Fixed 輸出端數(shù)量:1 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-6
BD70GA3WEFJ-TR 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:300mA Variable / Fixed Output LDO Regulators
BD70GA3WNUX-E2 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:300mA Variable / Fixed Output LDO Regulators
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