參數(shù)資料
型號(hào)： BD537
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： Complemetary硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： BD537
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
2.5
70
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
for
BD533/534
for
BD535/536
for
BD537/538
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
100
100
100
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
for
BD533/534
for
BD535/536
for
BD537/538
V
CE
= 45 V
V
CE
= 60 V
V
CE = 80 V
100
100
100
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 100 mA
for
BD533/534
for
BD535/536
for
BD537/538
45
60
80
V
V
V
I
C
= 2 A
I
C
= 6 A
I
C
= 2 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.6 A
V
CE
= 2 V
0.8
0.8
V
V
1.5
V
I
C
= 10 mA
V
CE
= 5 V
for
BD533/534
for
BD535/536
for
BD537/538
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
for
BD533/534
for
BD535/536
for
BD537/538
I
C
= 500 mA
I
C
= 2 A
20
20
15
40
25
25
15
f
T
Transition frequency
I
C
= 500 mA
V
CE
= 1 V
3
12
MHz
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
Safe OperatingAreas
BD533/BD534/BD535/BD536/BD537/BD538
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD536 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD678A COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD670 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD677 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD679 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
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參數(shù)描述
BD537J 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD537K 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD537KTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD538 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-220
BD538J 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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