參數資料
型號： BD534FP
廠商： 意法半導體
英文描述： Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
中文描述： 互補硅功率晶體管（互補硅功率晶體管）
文件頁數： 2/4頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： BD534FP
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
5.1
70
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CB
= 45 V
100
μ
A
I
CES
V
CE
= 45 V
100
μ
A
I
EBO
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 100 mA
45
V
I
C
= 2 A
I
C
= 6 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.6 A
0.8
0.8
V
V
V
BE
h
FE
Base-Emitter Voltage
I
C
= 2 A
V
CE
= 2 V
1.5
V
DC Current Gain
I
C
= 10 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 2 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
20
40
25
f
T
Transition frequency
I
C
= 500 mA
V
CE
= 1 V
3
12
MHz
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
Safe OperatingAreas
BD533FP / BD534FP
2/4
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