參數(shù)資料
型號(hào)： BD441
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： Complemetary硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 69K
代理商： BD441
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
3.5
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
for
BD439/440
V
CB
= 60 V
for
BD441/442
V
CB
= 80 V
100
100
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
mA
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter Voltage
for
BD439/440
V
CB
= 60 V
for
BD441/442
V
CB
= 80 V
V
EB
= 5 V
100
100
I
EBO
1
I
C
= 100 mA for
DB439/440
for
BD441/442
60
80
V
V
I
C
= 2 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
for
BD439/440
for
BD441/442
I
C
= 500 mA V
CE
= 1 V
for
BD439/440
for
BD441/442
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
for
BD439/440
for
BD441/442
0.8
V
0.58
1.5
V
V
h
FE
DC Current Gain
20
15
40
40
25
15
130
130
140
140
h
FE1
/
h
FE2
Matched Pair
f
T
Transition frequency
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
IC = 500 mA V
CE
= 1 V
I
C
= 250 mA V
CE
= 1 V
1.4
3
MHz
BD439/BD440/BD441/BD442
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD442 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD440 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD533FP Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD534FP Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD537 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
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參數(shù)描述
BD441G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD441STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD442 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD442G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD442S 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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