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參數(shù)資料
| 型號： | BD436 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| 中文描述： | Complemetary硅功率晶體管（互補硅功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BD436 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
3.5
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
for
BD433/434
V
CB
= 22 V
for
BD435/436
V
CB
= 32 V
for
BD437/438
V
CB
= 45 V
for
BD433/434
V
CE
= 22 V
for
BD435/436
V
CE
= 32 V
for
BD437/438
V
CE
= 45 V
100
100
100
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
100
100
100
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 100 mA for
BD433/434
for
BD435/436
for
BD437/438
22
32
45
V
V
V
I
C
= 2 A I
B
= 0.2 A
for
BD433/434
for
BD435/436
for
BD437/438
0.2
0.2
0.2
0.5
0.5
0.6
V
V
V
V
BE
Base-Emitter Voltage
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
for
BD433/434
for
BD435/436
for
BD437/438
0.58
1.1
1.1
1.2
V
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
for
BD433/434
for
BD435/436
for
BD437/438
I
C
= 500 mA V
CE
= 1 V
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
for
BD433/434
for
BD435/436
for
BD437/438
40
40
30
85
50
50
40
130
130
130
140
h
FE1
/
h
FE2
Matched Pair
f
T
Transition frequency
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
IC = 500 mA V
CE
= 1 V
I
C
= 250 mA V
CE
= 1 V
1.4
3
MHz
BD433/434/435/436/437/438
2/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD437 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD438 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD439 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD441 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD442 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD436 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126 |
| BD436G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 32V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD436S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD436STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD436T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 32V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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