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參數(shù)資料
| 型號： | BD243B |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 互補(bǔ)性的芯片功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | BD243B |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
1.92
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= rated V
CEO
0.4
mA
I
CEO
V
CE
= 60 V
0.7
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 30 mA
for
BD243B/BD244B
for
BD243C/BD244C
80
100
V
V
I
C
= 6 A
I
B
= 1 A
1.5
V
I
C
= 6 A
V
CE
= 4 V
2
V
I
C
= 0.3 A
I
C
= 3 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
30
15
h
fe
Small Signal Current
Gain
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
f = 1MHz
f = 1KHz
3
20
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
For PNP types voltage and current values are negative.
Safe OperatingArea
BD243B / BD243C / BD244B / BD244C
2/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD243C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD244B | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD244C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD433 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD434 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD243B/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
| BD243B_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
| BD243BG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 80V 65W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD243B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD243BTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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