參數(shù)資料
型號： BD242BFI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
中文描述： 互補硅功率晶體管（互補硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： BD242BFI
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
7
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(ON)
Base-Emitter Voltage
h
FE*
DC Current Gain
V
CE
= 60 V
0.3
mA
I
CES
V
CE
= 80 V
0.2
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 30 mA
80
V
I
C
= 3 A
I
B
= 0.6 A
1.2
V
I
C
= 3 A
V
CE
= 4 V
1.8
V
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
25
10
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
For PNP types voltage and current values are negative.
BD241BFI/BD242BFI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD241CFP Complementary Silicon Power Transistor(互補硅功率晶體管)
BD241C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD241B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD242A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD242B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD242BFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD242BG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD242B-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 3A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD242C 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD242CG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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