參數(shù)資料
型號(hào): BD242B
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述: 互補(bǔ)性的芯片功率晶體管
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 66K
代理商: BD242B
DIM.
mm
TYP.
1.27
16.4
inch
TYP.
0.050
0.645
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
L6
A
C
D
E
D
F
G
L7
L2
Dia.
F
L5
L4
H
L9
F
G
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
BD241A/B/C/BD242A/B/C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD242C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD241A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD243B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD243C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD244B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD242BFI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
BD242BFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD242BG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD242B-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 3A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD242C 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2