參數(shù)資料
型號： BD234
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Silicon PNP Transistor(硅PNP晶體管)
中文描述： 硅PNP晶體管（硅晶體管進步黨）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 62K
代理商： BD234
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
5
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= -45 V
V
CB
= -45 V T
c
= 150
o
C
-0.1
-2
mA
mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
EB
= -5 V
-1
mA
I
C
= -100 mA
-45
V
I
C
= -1 A I
B
= -0.1 A
-0.6
V
I
C
= -1 A V
CE
= -2 V
I
C
= -150 mA V
CE
= -2 V
I
C
= -1 A V
CE
= -2 V
I
C
= -250 mA V
CE
= -10 V
-1.3
V
40
25
f
T
Transition frequency
3
MHz
h
FE1
/h
FE2
Matched Pairs
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
I
C
= -150 mA V
CE
= -2 V
1.6
BD234
2/4
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PDF描述
BD239C NPN SILICON POWER TRANSISTOR
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BD241BFI Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
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