參數(shù)資料
型號： BD180-10
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至126
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代理商： BD180-10
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
BD175, 177, 179
BD176, 178, 180
Medium Power Liner and Switching Applications
NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS
PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
D
175
B
176
45
45
177
178
60
60
3.0
30
150
179
180
80
80
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current
Total power dissipation up to T
C
= 25°C
Junction temperature
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 1 A; I
B
= 0.1 A
D.C. current gain
I
C
= 150 mA; V
CE
= 2 V
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
V
V
A
W
°C
V
CEsat
max.
0.8
V
h
FE
min.
40
BD175, BD177, BD179
BD176, BD178, BD180
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
ALL DIMENSIONS IN MM
PIN CONFIGURATION
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
1
3
2
TO-126 (SOT-32) Plastic Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD175-10 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:12V; Holding Current:50mA RoHS Compliant: NA
BD175-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
BD175-6 SEMICONDUCTOR DEVICE - SI
BD176-16 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
BD177-10 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:50pF RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD18010STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD180-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
BD180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD181 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS
BD181_12 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS
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