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參數(shù)資料
| 型號： | BD1722N5050AHF |
| 廠商： | Anaren |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 3316K |
| 描述： | XFRMR BALUN RF 1700-2200MHZ 0404 |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | Xinger® |
| 頻率范圍： | 1700 ~ 2200MHz |
| 阻抗 - 不平衡/平衡： | 50 / 50 歐姆 |
| 相差： | 3.42° |
| 插入損耗（最大值）： | 1.02dB |
| 回程損耗（最小值）： | 12.5dB |
| 封裝/外殼： | 4-SMD，無引線 |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | 1173-1060-6 |
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Model BD1722N5050AHF
Rev A
Packaging and Ordering Information
Parts are available in reel and are packaged per EIA 481-2. Parts are oriented in tape and reel as shown below. Minimum order
quantities are 4000 per reel. See Model Numbers below for further ordering information.
4.00
?.50
1.21
.70
.18
4.00
1.21
2.00
8.00
3.50
1.75
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD2425N100ATI | XFRMR BALUN RF 2400-2500MHZ 0404 |
| BD2425N50100AHF | XFRMR BALUN RF 2400-2500MHZ 0404 |
| BD2425N50200AHF | XFRMR BALUN RF 2400-2500MHZ 0404 |
| BD2425N5050AHF | XFRMR BALUN RF 2400-2500MHZ 0404 |
| BD2425N50ATI | XFRMR BALUN RF 2400-2500MHZ 0404 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD175 | 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD175-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| BD17510STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD175-16 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| BD17516STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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