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參數(shù)資料
| 型號： | BCX55 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 封裝： | BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP5 |
| 文件頁數(shù)： | 13/15頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | BCX55 |
BC637_BCP55_BCX55_7
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 25 June 2007
13 of 15
NXP Semiconductors
BC637; BCP55; BCX55
60 V, 1 A NPN medium power transistors
10. Revision history
Table 10.
Document ID
BC637_BCP55_BCX55_7
Modifications:
Revision history
Release date
20070625
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new identity
guidelines of NXP Semiconductors.
Legal texts have been adapted to the new company name where appropriate.
Table 1 “Product overview”
: amended
Section 1.2 “Features”
: amended
Section 1.3 “Applications”
: amended
Table 2 “Quick reference data”
: I
C
parameter redefined to collector current
Table 2 “Quick reference data”
: I
CM
condition added
Figure 2
and
3
: amended
Table 6 “Limiting values”
: I
C
parameter redefined to collector current
Table 6 “Limiting values”
: I
CM
condition added
Table 6 “Limiting values”
: P
tot
values for BCP55 and BCX55 adapted
Table 7 “Thermal characteristics”
: R
th(j-a)
values for BCP55 and BCX55 rounded
Figure 4
: Z
th
redefined to Z
th(j-a)
transient thermal impedance from junction to ambient
Figure 4
: t
p
parameter redefined to pulse duration
Figure 5
: added
Figure 6
: Z
th
redefined to Z
th(j-a)
transient thermal impedance from junction to ambient
Figure 6
: t
p
parameter redefined to pulse duration
Figure 7
: added
Figure 8
: Z
th
redefined to Z
th(j-a)
transient thermal impedance from junction to ambient
Figure 8
: t
p
parameter redefined to pulse duration
Figure 9
: added
Figure 11
: amended
Table 9 “Packing methods”
: new packing method for BCX55 added
Section 11 “Legal information”
: updated
20050218
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BC637_BCP55_BCX55_6
BC637_BCP55_BCX55_6
CPCN200405029
BC635_637_639_4
BCP54_55_56_5
BCX54_55_56_4
BC635_637_639_3
BCP54_55_56_4
BCX54_55_56_3
BC635_637_639_4
BCP54_55_56_5
BCX54_55_56_4
20011010
20030206
20011010
Product specification
Product specification
Product specification
-
-
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX55-10 | |
| BCR5PM-12LG-A8 | 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD |
| BCU81-SMD | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| BCU83-SMD | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| BCU86-SMD | NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCX55 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX55,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX55,135 | 功能描述:BCX55/SOT89/MPT3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 |
| BCX55 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-89 |
| BCX55/ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Medium Power Transistor |
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