參數(shù)資料
型號： BCX54-10
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
封裝： BCP54<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP54<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP5
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： BCX54-10
BC635_BCP54_BCX54_7
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 4 June 2007
13 of 15
NXP Semiconductors
BC635; BCP54; BCX54
45 V, 1 A NPN medium power transistors
10. Revision history
Table 10.
Document ID
BC635_BCP54_BCX54_7
Modifications:
Revision history
Release date
20070604
Table 1 “Product overview”
: amended
Section 1.2 “Features”
: amended
Section 1.3 “Applications”
: amended
Table 2 “Quick reference data”
: I
C
parameter redefined to collector current
Table 2 “Quick reference data”
: I
CM
condition added
Figure 2
and
3
: amended
Table 6 “Limiting values”
: I
C
parameter redefined to collector current
Table 6 “Limiting values”
: I
CM
condition added
Table 6 “Limiting values”
: P
tot
values for BCP54 and BCX54 adapted
Table 7 “Thermal characteristics”
: R
th(j-a)
values for BCP54 and BCX54 rounded
Figure 4
: Z
th
redefined to Z
th(j-a)
transient thermal impedance from junction to ambient
Figure 4
: t
p
parameter redefined to pulse duration
Figure 5
: added
Figure 6
: Z
th
redefined to Z
th(j-a)
transient thermal impedance from junction to ambient
Figure 6
: t
p
parameter redefined to pulse duration
Figure 7
: added
Figure 8
: Z
th
redefined to Z
th(j-a)
transient thermal impedance from junction to ambient
Figure 8
: t
p
parameter redefined to pulse duration
Figure 9
: added
Figure 11
: amended
Table 9 “Packing methods”
: new packing method for BCX54 added
Section 11 “Legal information”
: updated
20050225
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BC635_BCP54_BCX54_6
BC635_BCP54_BCX54_6
CPCN200405029
BC635_637_639_4
BCP54_55_56_5
BCX54_55_56_4
BC635_637_639_3
BCP54_55_56_4
BCX54_55_56_3
BC635_637_639_4
BCP54_55_56_5
BCX54_55_56_4
20011010
20030206
20011010
Product specification
Product specification
Product specification
-
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX54-16
BCP55
BCX55
BCX55-10
BCR5PM-12LG-A8 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX54-10 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX54-10,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX54-10115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MED PWR N 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT89
BCX54-10-BC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX5410E6327 功能描述:TRANS NPN AF 45V SOT-89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*