參數(shù)資料
型號： BCX5316
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 33K
代理商： BCX5316
SOT89 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 – MARCH 2001
COMPLIMENTARY TYPE – BCX5616
PARTMARKING DETAIL – AL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-100
V
Collector-Emitter Voltage
-80
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-1.5
A
Continuous Collector Current
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
1
W
-65 to +150
°C
TYP.
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown voltage
V
(BR)CBO
-100
V
IC =-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-80
V
IC =-10mA
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-20
μ
A
μ
A
V
CB
=-30V
V
CB
=-30V, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-10
μ
A
V
EB
=-4V
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-0.5
V
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-1.0
V
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
25
100
25
250
I
C
=-5mA, V
=-2V*
I
C
=-150mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
I
=-50mA, V
CE
=-10V,
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
150
MHz
Output Capacitance
C
obo
25
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions.
BCX5316
TBA
C
C
B
E
SOT89
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