參數(shù)資料
型號(hào)： BCX52-16
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
封裝： BCP52-16<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCX52<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,;BCX
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： BCX52-16
BCP52_BCX52_8
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 08 — 25 February 2008
8 of 12
NXP Semiconductors
BCP52; BCX52
60 V, 1 A PNP medium power transistors
V
CE
=
2 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 8.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
T
amb
= 25
°
C
Fig 9.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=
2 V
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 10. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 11. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa226
100
200
300
h
FE
0
10
1
I
C
(mA)
10
4
10
3
1
10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0
2.0
1.6
0.8
1.2
0.4
006aaa230
0.8
0.4
1.2
1.6
I
C
(A)
0
4.5
9
13.5
18
22.5
27
31.5
I
B
(mA) =
45
40.5
36
006aaa227
600
800
400
1000
1200
V
BE
(mV)
200
I
C
(mA)
10
1
10
4
10
3
1
10
2
10
(1)
(2)
(3)
006aaa228
10
2
10
3
V
CEsat
(mV)
10
I
C
(mA)
10
1
10
4
10
3
1
10
2
10
(1)
(2)
(3)
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PDF描述
BCP54
BCP54-16
BCX54
BCX54-10
BCX54-16
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BCX52-16,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX52-16,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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