參數(shù)資料
型號： BCX51-16
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
封裝： BC51-10PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC51-16PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Alwa
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代理商： BCX51-16
BCP51_BCX51_BC51PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 9 — 13 October 2011
12 of 22
NXP Semiconductors
BCP51; BCX51; BC51PA
45 V, 1 A PNP medium power transistors
7. Characteristics
Table 8.
T
amb
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
I
CBO
collector-base
cut-off current
[1]
Pulse test: t
p
300
s;
= 0.02.
FR4 PCB, 4-layer copper, mounting pad for collector 1 cm
2
Fig 14. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration for SOT1061;
typical values
006aac687
10
1
10
2
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
10
–1
10
–5
10
10
–2
10
–4
10
2
10
–1
t
p
(s)
10
–3
10
3
1
0
duty cycle = 1
0.01
0.05
0.1
0.2
0.33
0.5
0.25
0.75
0.02
Characteristics
Conditions
V
CB
=
30 V; I
E
= 0 A
V
CB
=
30 V; I
E
= 0 A;
T
j
= 150
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0 A
Min
-
-
Typ
-
-
Max
100
10
Unit
nA
A
I
EBO
emitter-base
cut-off current
DC current gain
-
-
100
nA
h
FE
V
CE
=
2 V
I
C
=
5 mA
I
C
=
150 mA
I
C
=
500 mA
V
CE
=
2 V
I
C
=
150 mA
I
C
=
150 mA
I
C
=
500 mA;
I
B
=
50 mA
V
CE
=
2 V; I
C
=
500 mA
V
CB
=
10 V; I
E
= i
e
= 0 A;
f = 1 MHz
V
CE
=
5 V; I
C
=
50 mA;
f = 100 MHz
63
63
-
-
-
-
250
-
[1]
40
DC current gain
h
FE
selection -10
h
FE
selection -16
collector-emitter
saturation voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
63
100
-
-
-
160
250
0.5
V
CEsat
[1]
-
V
V
BE
C
c
[1]
-
-
15
1
-
V
pF
-
f
T
transition frequency
-
145
-
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC547 Small Signal Transistors (NPN)(小信號晶體管（NPN）)
BC546 Small Signal Transistors (NPN)(小信號晶體管（NPN）)
BC556 Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）)
BC557 Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）)
BC68-25PA 20 V, 2A NPN medium power transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX51-16 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX51-16 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX51-16,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX51-16,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX51-16 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-89
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