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參數(shù)資料
| 型號： | BCW89R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | BCW89R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW89 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW89 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BCW93K | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
| BCX17CSM | General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(通用PNP晶體管(陶瓷表貼封裝,高可靠性應用Vceo = 45V,Ic = 500mA)) |
| BCX17LT3 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW89T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BCW89TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW89TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Medium Power Amplifiers and Switches |
| BCW90K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
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