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參數(shù)資料
| 型號： | BCW68GLR |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | BCW68GLR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW31LR | BJT |
| BCW32L | FUSEHOLDER 19POLE ALRM-IND PNLMT |
| BCW32LR | Fuse Holder; Mounting Type:PC Board; Body Material:Phenolic; Contact Plating:Tin; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Rating:125V |
| BCW33LR | FUSE 100A 32V MIDI BOLT-ON |
| BCW60DL | BJT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW68GLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW68GLT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor |
| BCW68GLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW68GLT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENRL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW68GR | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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