| 型號(hào): | BCW67AR |
| 英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 32V的五(巴西)總裁| 800mA的一(c)|至236 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商: | BCW67AR |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW67BR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236 |
| BCW67CL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
| BCW67CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236 |
| BCW67 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW67A | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW67AR-4W | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCW67ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW67ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW67B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon AF Transistors |
| BCW67BCW68 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) |