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參數(shù)資料
| 型號： | BCW65AL |
| 英文描述： | DIODE TVS 33V 1500W 5% UNI AXL |
| 中文描述： | 晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | BCW65AL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW65ALR | DIODE TVS 400V 1500W 5% UNI AXL |
| BCW65BL | Resettable Fuse; Operating Voltage Max:15VDC; Resistance:0.6ohm; Holding Current:0.5A; Tripping Current:1A; Fuse Terminals:SMT Caps; Initial Resistance Min:0.15ohm; Interrupting Current Max:100A; Leaded Process Compatible:Yes |
| BCW65BLR | BJT |
| BCW66GL | BJT |
| BCW66GLR | BJT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW65ALR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| BCW65ALT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW65ALT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor NPN |
| BCW65ALT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| BCW65ALT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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