參數(shù)資料
型號: BCW60C
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN general purpose transistors
中文描述: NPN通用型晶體管
封裝: BCW60B<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BCW60B<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 120K
代理商: BCW60C
1999 Apr 22
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN general purpose transistors
BCW60 series
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 32 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
NPN transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complements: BCW61 series.
MARKING
Note
1.
= p : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
(1)
AB
AC
AD
BCW60B
BCW60C
BCW60D
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM255
Top view
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
32
32
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW66H NPN Small Signal Transistor 330mW
BCW68G PNP Small Signal Transistor 330mW
BCW68H PNP Small Signal Transistor 330mW
BCW73LT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BCW78 Small Signal Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW60C T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW60C,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW60C,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW60C/E8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BCW60C/E9 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23