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                      | 型號: | BCW60B | 
| 廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. | 
| 英文描述: | Small Signal Transistors (PNP) | 
| 中文描述: | 小信號晶體管(進步黨) | 
| 文件頁數(shù): | 3/3頁 | 
| 文件大?。?/td> | 40K | 
| 代理商: | BCW60B | 

| 相關PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| BCW60D | Small Signal Transistors (PNP) | 
| BCW61B | PNP general purpose transistors | 
| BCW61C | PNP general purpose transistors | 
| BCW61D | PNP general purpose transistors | 
| BCX71K | PNP general purpose transistors | 
| 相關代理商/技術參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| BCW60B /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BCW60B,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BCW60B,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BCW60B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 | 
| BCW60B/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 | 
| *型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 | 
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