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    • 參數(shù)資料
      型號: BCV72
      廠商: KEC Holdings
      英文描述: EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW LEVEL AUDIO-AMPLIFIER AND SWITCHING)
      中文描述: 外延平面NPN晶體管(低級音頻放大器和開關(guān))
      文件頁數(shù): 1/1頁
      文件大?。?/td> 53K
      代理商: BCV72
      相關(guān)PDF資料
      PDF描述
      BCW31_33
      BCW31L TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
      BCW33L FUSE 50A 32V MIDI BOLT-ON
      BCW31 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
      BCW31 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
      相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
      參數(shù)描述
      BCV72 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
      BCV72,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
      BCV72.215 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistors
      BCV72R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
      BCV72T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23