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參數(shù)資料
| 型號： | BCV26 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Darlington Transistor(達林頓晶體管) |
| 中文描述： | 達林頓晶體管（達林頓晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | BCV26 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
BCV26
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-Base Cutoff Current
at –V
CBO
= 30 V
–I
CBO
–
–
0.1
μ
A
Emitter-Base Cutoff Current
at –V
EB
= 10 V
–I
EBO
–
–
0.1
μ
A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
at –I
C
= 10 mA
–V
(BR)CEO
30
–
–
V
Collector-Base Breakdown Voltage
at I
C
= 10
μ
A
–V
(BR)CBO
40
–
–
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
at –I
E
= 100 nA
–V
(BR)EBO
10
–
–
V
DC Current Gain
at –V
CE
= 5 V, –I
C
= 1 mA
at –V
CE
= 5 V, –I
C
= 10 mA
at –V
CE
= 5 V, –I
C
= 100 mA
h
FE
h
FE
h
FE
4000
10000
20000
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Collector-Emitter Saturation Voltage
at –I
C
= 100 mA, –I
B
= 0.1 mA
–V
CEsat
–
–
1.0
V
Base-Emitter Saturation Voltage
at –I
C
= 100 mA, –I
B
= 0.1 mA
–V
BEsat
–
–
1.5
V
Gain-Bandwidth Product
at –V
CE
= 5 V, –I
C
= 30 mA, f = 100 MHz
f
T
–
220
–
MHz
Collector-Base Capacitance
at –V
CB
= 30 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
C
CBO
–
3.5
–
pF
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
R
thJA
–
–
430
1)
K/W
1)
Device on fiberglass substrate, see layout below
.59 (15)
0.2 (5)
.03 (0.8)
.30 (7.5)
.12 (3)
.04 (1)
.06 (1.5)
.20 (5.1)
.08 (2)
.08 (2)
.04 (1)
Dimensions in inches (millimeters)
.47 (12)
Layout for R
thJ A
test
Thickness: Fiberglass 0.059 in (1.5 mm)
Copper leads 0.012 in (0.3 mm)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCV26 | PNP Darlington transistors |
| BCV46 | PNP Darlington transistors |
| BCV27 | Darlington Transistor(達林頓晶體管) |
| BCV27 | NPN Darlington transistors |
| BCV47 | NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCV26 /T3 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-11 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV26 T/R | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-7 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV26,215 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV26,235 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV26 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
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