參數(shù)資料
型號(hào)： BCP56-6
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 127K
代理商： BCP56-6
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis 2%
26
01.11.2003
4
3
2
1
3
±0.1
6.5
±0.2
0.7
3.25
2.3
7
±
1.65
3
±
BCP 54, BCP 55, BCP 56
General Purpose Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial
PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren
für die Oberflchenmontage
NPN
Power dissipation – Verlustleistung
1.3 W
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-223
Weight approx. – Gewicht ca.
0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
1 = B
2, 4 = C
3 = E
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25 C)
Grenzwerte
(T
A
= 25 C)
BCP 55
60 V
60 V
5 V
1.3 W
1
)
1 A
1.5 A
200 mA
150 C
- 65…+ 150 C
BCP 54
45 V
45 V
BCP 56
80 V
100 V
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Koll.-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temp. – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V, T
j
= 125 C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
Collector saturation volt. – Kollektor-Sttigungsspg.
2
)
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
100 nA
10 A
I
EB0
–
–
100 nA
V
CEsat
–
–
500 mV
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP5410 Obsolete - alternative part: BCP5616
BCP5416 Obsolete - alternative part: BCP5616
BCP54-6
BCP55-6 FUSE 250V IEC SLO 5X20MM .080A
BCP54 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCP56F 功能描述:BCP56/SC-73/REEL 13" Q1/T1 *ST 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BCP56HX 功能描述:BCP56H/SOT223/SC-73 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BCP56M 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current)
BCP56T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223
BCP56T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 100V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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