型號(hào): | BCP56-10T1 |
元件分類: | 開(kāi)關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁(yè)數(shù): | 7/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 525K |
代理商: | BCP56-10T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BS108 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BZX84C11ET1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BZX84C13LT1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BAS16TT1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BCP53-16T1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BCP56-10T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 100V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCP56-10T1G/H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
BCP56-10T3G | 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223(TO-261) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 |
BCP5610TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCP5610TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |