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參數(shù)資料
| 型號： | BCP54 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | BCP54 |
1
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis 2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
01.11.2003
27
General Purpose Transistors
BCP 54, BCP 55, BCP 56
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
1
)
V
CE
= 2 V, I
C
= 150 mA
BCP 5x-6
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
40
–
100
BCP 5x-10
63
–
160
BCP 5x-16
100
–
250
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
V
CE
= 2 V, I
C
= 500 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
BCP 54...
BCP56
63
–
–
40
–
–
V
CE
= 2 V, I
C
= 500 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
BEon
–
–
1 V
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
DC current gain ratio of the complement. pairs
Verhltnis der Stromverst. complement. Paare
f
T
–
130 MHz
–
h
FE1
h
FE2
–
–
1.6
Thermal resistance – Wrmewiderstand
junction to ambient air – Sperrschicht zu umgebender Luft
R
thA
R
thS
95 K/W
2
)
junction to soldering point – Sperrschicht zu Ltpad
14 K/W
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementre PNP-Transistoren
BCP 51, BCP 52, BCP 53
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCP5616 | |
| BCP5610 | Obsolete - alternative part: BCP5616 |
| BCP56-16T3 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-261AA |
| BCP56 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| BCP56 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCP54 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 |
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