參數(shù)資料
型號: BCP54-16
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
封裝: BCP54<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP54<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP5
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代理商: BCP54-16
BC635_BCP54_BCX54_7
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 4 June 2007
5 of 15
NXP Semiconductors
BC635; BCP54; BCX54
45 V, 1 A NPN medium power transistors
FR4 PCB, standard footprint
(1) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm
2
(2) FR4 PCB, standard footprint
Fig 1.
Power derating curve SOT54
Fig 2.
Power derating curves SOT223
(1) FR4 PCB, mounting pad for collector 6 cm
2
(2) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm
2
(3) FR4 PCB, standard footprint
Fig 3.
Power derating curves SOT89
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
0
75
25
006aaa085
0.8
0.4
1.2
1.6
P
tot
(W)
0
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
0
75
25
006aaa086
0.8
0.4
1.2
1.6
P
tot
(W)
0
(1)
(2)
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
0
75
25
006aaa087
0.8
0.4
1.2
1.6
P
tot
(W)
0
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX54
BCX54-10
BCX54-16
BCP55
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCP54-16 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP54-16 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP54-16,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP54-16,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP54-16115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER NPN 4