參數(shù)資料
型號: BCP52
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
封裝: BCP52-16<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCX52<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,;BCX
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文件大小: 115K
代理商: BCP52
BCP52_BCX52_8
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 08 — 25 February 2008
4 of 12
NXP Semiconductors
BCP52; BCX52
60 V, 1 A PNP medium power transistors
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
(1) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm
2
(2) FR4 PCB, standard footprint
(1) FR4 PCB, mounting pad for collector 6 cm
2
(2) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm
2
(3) FR4 PCB, standard footprint
Fig 1.
Power derating curves SOT223
Fig 2.
Power derating curves SOT89
006aaa220
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
75
25
0.8
0.4
1.2
1.6
P
tot
(W)
0
0
(2)
(1)
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
0
75
25
006aaa221
0.8
0.4
1.2
1.6
P
tot
(W)
0
(1)
(2)
(3)
Table 7.
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
BCP52
Conditions
in free air
Min
Typ
Max
Unit
[1]
-
-
-
-
-
-
190
125
230
135
95
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
[2]
-
BCX52
[1]
-
[2]
-
[3]
-
R
th(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
BCP52
BCX52
-
-
-
-
17
20
K/W
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP52-10
BCP52-16
BCX52
BCX52-10
BCX52-16
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCP52 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52_00 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
BCP52_13 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:60 V, 1 A PNP medium power transistors
BCP52_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-223 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2